2019年9月27日下午两点，“功能材料卓越论坛”在唐仲英楼B501如期开讲。本次讲坛邀请到华中科技大学二级教授，材料成型与模具技术国家重点实验室副主任，国家杰出青年基金获得者、国家领军人才计划入选者，翟天佑教授担任主讲嘉宾，作题为“二维材料的气相控制合成与微纳光电器件”的报告。报告由公司能源科学与工程系何平教授主持，并代表吴迪经理向翟天佑教授颁发讲坛纪念品，公司及院外师生等参加了讲座。
报告伊始，翟天佑教授简要说明了目前微纳光电探测器不断朝着更窄的沟道及更薄的厚度演进，这也使得二维材料在微纳光电器件中有着巨大的应用前景。然而二维材料的制备目前仍然面临很多问题，物理剥离的方法难以大规模生产；液相化学/电化学剥离的二维材料表面环境复杂，难以应用于光电器件。针对这些问题，翟天佑教授团队从化学气相沉积技术（CVD）出发，通过开发近稳态控源和限域空间生长技术，成功解决CVD技术可控性差的问题，实现大规模，高质量的二维材料制备。利用这种改进的CVD生长技术，翟天佑教授团队制备了多种IV-VI族二维半导体材料，实现了超薄SnSe2纳米片的可控制备。课题组还首次报道了ReX2(X=S, Se)二维材料体系。通过本真调控和外场调控等多种手段，实现了二维材料光学/电学性质的可连续调节，推动高性能光电器件的开发。
提问环节中，在座师生围绕范德华气相外延制备，二维材料表征技术等话题进行了热烈的讨论，翟天佑教授进行了耐心解答。整场报告让我们对基于CVD的高质量二维材料的制备技术，以及二维材料的电学/光学性质连续调控技术有了更好地了解。最后，大家用热烈的掌声对翟天佑教授带来的精彩报告表达了感谢。
（何平课题组供稿、图/罗亮）
