2019年12月13日下午2点，功能材料卓越论坛在仙林校区择善楼204教室开讲。本次讲座我们非常荣幸地邀请到中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师牛智川教授作为主讲嘉宾，为我们带来了题为“锑化物窄带隙半导体光电材料与器件技术”的报告。牛老师的研究方向为新型半导体低维材料物理与外延技术、光电子与量子器件制备，目前担任中科院半导体所锑化物半导体研究中心主任，国科大材料学院量子光电子学首席教授。本次报告由公司芦红教授主持，公司党委书记臧文成书记代表全院师生向牛智川教授赠送了定制纪念品。
报告开始，牛老师首先向我们介绍了半导体技术的递进发展与材料体系的开拓历程，从第一代Si/Ge半导体到第二、第三代GaAs/InP和GaN/SiC异质结化合物材料体系的研究进展，并介绍了锑化物半导体的基本特性。随着科技的发展，前三代难以满足新需求，而锑化物半导体在开发下一代的小尺寸、低能耗、低成本器件，以及更为严苛的应用方面具有不可替代的优势。接着，牛老师对窄带隙半导体进行了概述，又向我们介绍了锑化物半导体技术历程及MBE技术的开拓与发展，分析了外延材料的关键技术与关键点等，提出了基于先进分子束外延技术复杂结构的生长方法。随后，牛老师与我们分享了锑化物量子阱激光器和超晶格探测器的研究进展，从发光波段和效率问题到结构的不断优化与创新，器件的性能也越做越好。讲座进入尾声时，牛老师讨论了锑化物半导体光电器件技术发展链条与技术引领性，总结了锑化物半导体在第四代半导体中的核心地位。
同学们对报告的内容积极提问，牛老师认真地一一作了解答，这场讲座在热烈的掌声中顺利结束。
（芦红课题组供稿）
